Kupować MP6M11TCR z BYCHPS
Kup z gwarancją
MP6M11TCR
- Part Number:
- MP6M11TCR
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 17782 Pieces
- Arkusz danych:
- MP6M11TCR.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla MP6M11TCR, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla MP6M11TCR e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Dostawca urządzeń Pakiet: | MPT6 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 98 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Moc - Max: | 2W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-SMD, Flat Leads |
| Inne nazwy: | MP6M11TCRTR |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | MP6M11TCR |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 85pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 1.9nC @ 5V |
| Rodzaj FET: | N and P-Channel |
| Cecha FET: | Logic Level Gate |
| Rozszerzony opis: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A 2W Surface Mount MPT6 |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 30V |
| Opis: | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 3.5A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MP6M11TCR
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
MP6M12TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6 | Zapytanie ofertowe |
 |
UPA2672T1R-E2-AX | Renesas Electronics America | MOSFET 2P-CH 12V 4A 6HUSON | Zapytanie ofertowe |
 |
FMM75-01F | IXYS | MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5 | Zapytanie ofertowe |
 |
SI4830ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC | Zapytanie ofertowe |
|
MP6M14TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6 | Zapytanie ofertowe |
 |
EPC2103ENGRT | EPC | TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V | Zapytanie ofertowe |
 |
VT6M1T2CR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 | Zapytanie ofertowe |
|
SI4562DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | Zapytanie ofertowe |
 |
NTMFD4C88NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | Zapytanie ofertowe |
 |
APTC60HM70SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 39A SP4 | Zapytanie ofertowe |
 |
AOD607_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V TO252-4 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog