Kupować VT6M1T2CR z BYCHPS
Kup z gwarancją
VT6M1T2CR
- Part Number:
- VT6M1T2CR
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 12829 Pieces
- Arkusz danych:
- VT6M1T2CR.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla VT6M1T2CR, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla VT6M1T2CR e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 100µA |
|---|---|
| Dostawca urządzeń Pakiet: | VMT6 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Moc - Max: | 120mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-SMD, Flat Leads |
| Inne nazwy: | VT6M1T2CRTR |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 17 Weeks |
| Numer części producenta: | VT6M1T2CR |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 7.1pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | - |
| Rodzaj FET: | N and P-Channel |
| Cecha FET: | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Rozszerzony opis: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6 |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| Opis: | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do VT6M1T2CR
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4562DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | Zapytanie ofertowe |
 |
DMC3400SDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V SOT363 | Zapytanie ofertowe |
 |
AO4818B | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC | Zapytanie ofertowe |
|
SI4936BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | Zapytanie ofertowe |
 |
NTMFD4C88NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | Zapytanie ofertowe |
 |
STS9D8NH3LL | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC | Zapytanie ofertowe |
 |
TT8J1TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8 | Zapytanie ofertowe |
 |
DMC4029SK4-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252 | Zapytanie ofertowe |
 |
APTC60DSKM70T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog