Kupować SIE818DF-T1-GE3 z BYCHPS
Kup z gwarancją
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 10-PolarPAK® (L) |
| Seria: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 9.5 mOhm @ 16A, 10V |
| Strata mocy (max): | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 10-PolarPAK® (L) |
| Inne nazwy: | SIE818DF-T1-GE3TR SIE818DFT1GE3 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 24 Weeks |
| Numer części producenta: | SIE818DF-T1-GE3 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 3200pF @ 38V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 95nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 75V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 75V |
| Opis: | MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |