SIE816DF-T1-GE3
SIE816DF-T1-GE3
Part Number:
SIE816DF-T1-GE3
Producent:
Vishay / Siliconix
Opis:
MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
13202 Pieces
Arkusz danych:
SIE816DF-T1-GE3.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla SIE816DF-T1-GE3, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla SIE816DF-T1-GE3 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować SIE816DF-T1-GE3 z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

VGS (th) (Max) @ Id:4.4V @ 250µA
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:10-PolarPAK® (L)
Seria:TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs:7.4 mOhm @ 19.8A, 10V
Strata mocy (max):5.2W (Ta), 125W (Tc)
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:10-PolarPAK® (L)
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Numer części producenta:SIE816DF-T1-GE3
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:3100pF @ 30V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:77nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Rozszerzony opis:N-Channel 60V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Spust do źródła napięcia (Vdss):60V
Opis:MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze