Kupować JAN1N5417 z BYCHPS
Kup z gwarancją
JAN1N5417
- Part Number:
- JAN1N5417
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Dostępna Ilość:
- 12206 Pieces
- Arkusz danych:
- JAN1N5417.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla JAN1N5417, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla JAN1N5417 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.5V @ 9A |
|---|---|
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 200V |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | Military, MIL-PRF-19500/411 |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 150ns |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | B, Axial |
| Inne nazwy: | 1086-2088 1086-2088-MIL |
| Temperatura pracy - złącze: | -65°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Numer części producenta: | JAN1N5417 |
| Rozszerzony opis: | Diode Standard 200V 3A Through Hole |
| Typ diody: | Standard |
| Opis: | DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1µA @ 200V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 3A |
| Pojemność @ VR F: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do JAN1N5417
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N5418 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL | Zapytanie ofertowe |
 |
JAN1N5416 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Zapytanie ofertowe |
|
JAN1N5417US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF | Zapytanie ofertowe |
 |
JAN1N5419 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL | Zapytanie ofertowe |
|
JAN1N5415US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Zapytanie ofertowe |
|
JAN1N5418US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 3A D5B | Zapytanie ofertowe |
|
JAN1N5416US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Zapytanie ofertowe |
|
JAN1N5419US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 500V 3A D5B | Zapytanie ofertowe |
|
JAN1N5420US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A D5B | Zapytanie ofertowe |
|
JAN1N5415 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL | Zapytanie ofertowe |
 |
JAN1N5420 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog