IPB05N03LAT
IPB05N03LAT
Part Number:
IPB05N03LAT
Producent:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Opis:
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
12036 Pieces
Arkusz danych:
IPB05N03LAT.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IPB05N03LAT, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IPB05N03LAT e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować IPB05N03LAT z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 50µA
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:PG-TO263-3-2
Seria:OptiMOS™
RDS (Max) @ ID, Vgs:4.6 mOhm @ 55A, 10V
Strata mocy (max):94W (Tc)
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Inne nazwy:IPB05N03LAXTINTR
SP000016268
temperatura robocza:-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Numer części producenta:IPB05N03LAT
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:3110pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:25nC @ 5V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Rozszerzony opis:N-Channel 25V 80A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Spust do źródła napięcia (Vdss):25V
Opis:MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze