IPB054N08N3 G
IPB054N08N3 G
Part Number:
IPB054N08N3 G
Producent:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Opis:
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
17370 Pieces
Arkusz danych:
IPB054N08N3 G.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IPB054N08N3 G, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IPB054N08N3 G e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować IPB054N08N3 G z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 90µA
Vgs (maks.):±20V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:PG-TO263-2
Seria:OptiMOS™
RDS (Max) @ ID, Vgs:5.4 mOhm @ 80A, 10V
Strata mocy (max):150W (Tc)
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Inne nazwy:IPB054N08N3 G-ND
IPB054N08N3G
IPB054N08N3GATMA1
SP000395166
temperatura robocza:-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta:12 Weeks
Numer części producenta:IPB054N08N3 G
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:4750pF @ 40V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:69nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Rozszerzony opis:N-Channel 80V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss):80V
Opis:MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze