EPC8009
EPC8009
Part Number:
EPC8009
Producent:
EPC
Opis:
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
12228 Pieces
Arkusz danych:
1.EPC8009.pdf2.EPC8009.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla EPC8009, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla EPC8009 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować EPC8009 z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (maks.):+6V, -4V
Technologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Dostawca urządzeń Pakiet:Die
Seria:eGaN®
RDS (Max) @ ID, Vgs:130 mOhm @ 500mA, 5V
Strata mocy (max):-
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:Die
Inne nazwy:917-1078-2
temperatura robocza:-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta:14 Weeks
Numer części producenta:EPC8009
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:52pF @ 32.5V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:0.45nC @ 5V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Rozszerzony opis:N-Channel 65V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):5V
Spust do źródła napięcia (Vdss):65V
Opis:TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze