EPC8005ENGR
EPC8005ENGR
Part Number:
EPC8005ENGR
Producent:
EPC
Opis:
TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
19179 Pieces
Arkusz danych:
1.EPC8005ENGR.pdf2.EPC8005ENGR.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla EPC8005ENGR, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla EPC8005ENGR e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować EPC8005ENGR z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Technologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Dostawca urządzeń Pakiet:Die
Seria:eGaN®
RDS (Max) @ ID, Vgs:275 mOhm @ 500mA, 5V
Strata mocy (max):-
Opakowania:Tray
Package / Case:Die
Inne nazwy:917-EPC8005ENGR
EPC8005ENGH
temperatura robocza:-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Numer części producenta:EPC8005ENGR
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:29pF @ 32.5V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:0.22nC @ 5V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Rozszerzony opis:N-Channel 65V 2.9A (Ta) Surface Mount Die
Spust do źródła napięcia (Vdss):65V
Opis:TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:2.9A (Ta)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze