Kupować ZXGD3005E6TA z BYCHPS
Kup z gwarancją
ZXGD3005E6TA
- Part Number:
- ZXGD3005E6TA
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 12046 Pieces
- Arkusz danych:
- ZXGD3005E6TA.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla ZXGD3005E6TA, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla ZXGD3005E6TA e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - Dostawa: | 25V (Max) |
|---|---|
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-26 |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Czas narastania / spadku (typ): | 48ns, 35ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOT-23-6 |
| Inne nazwy: | ZXGD3005E6TADITR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Częstotliwość wejściowa: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Numer części producenta: | ZXGD3005E6TA |
| Napięcie logiczne - VIL, VIH: | - |
| Typ wejścia: | Non-Inverting |
| Typ bramy: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Rozszerzony opis: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting SOT-26 |
| Konfiguracja napędzana: | Low-Side |
| Opis: | IC GATE DVR IGBT/MOSFET SOT26 |
| Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak): | 10A, 10A |
| Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max): | Single |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ZXGD3005E6TA
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXGD3001E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | Zapytanie ofertowe |
|
ZXGD3002E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | Zapytanie ofertowe |
|
ZXGD3006E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | Zapytanie ofertowe |
|
ZXGD3001E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | Zapytanie ofertowe |
|
ZXGD3003E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | Zapytanie ofertowe |
|
ZXGD3004E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | Zapytanie ofertowe |
 |
ZXGD3009DYTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363 | Zapytanie ofertowe |
|
ZXGD3003E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | Zapytanie ofertowe |
|
ZXGD3006E6QTA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26 | Zapytanie ofertowe |
|
ZXGD3009E6TA | Diodes Incorporated | IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog