STW72N60DM2AG
STW72N60DM2AG
Part Number:
STW72N60DM2AG
Producent:
ST
Opis:
MOSFET N-CH 600V 66A
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
16636 Pieces
Arkusz danych:
STW72N60DM2AG.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla STW72N60DM2AG, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla STW72N60DM2AG e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować STW72N60DM2AG z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (maks.):±25V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:TO-247
Seria:Automotive, AEC-Q101, MDmesh™
RDS (Max) @ ID, Vgs:42 mOhm @ 33A, 10V
Strata mocy (max):446W (Tc)
Opakowania:Tube
Package / Case:TO-247-3
Inne nazwy:497-16130-5
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta:24 Weeks
Numer części producenta:STW72N60DM2AG
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:5508pF @ 100V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:121nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Rozszerzony opis:N-Channel 600V 66A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):10V
Spust do źródła napięcia (Vdss):600V
Opis:MOSFET N-CH 600V 66A
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:66A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze