Kupować SPP80N06S2-09 z BYCHPS
Kup z gwarancją
SPP80N06S2-09
- Part Number:
- SPP80N06S2-09
- Opis:
- MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Dostępna Ilość:
- 12832 Pieces
- Arkusz danych:
- SPP80N06S2-09.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla SPP80N06S2-09, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla SPP80N06S2-09 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 125µA |
|---|---|
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-TO220-3-1 |
| Seria: | OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 9.1 mOhm @ 50A, 10V |
| Strata mocy (max): | 190W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Inne nazwy: | SP000013583 SPP80N06S209 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | SPP80N06S2-09 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 3140pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 55V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 55V |
| Opis: | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SPP80N06S2-09
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
SPP80N06S2L-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | Zapytanie ofertowe |
|
SPP80N06S2L-H5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | Zapytanie ofertowe |
|
SPP80N06S2-H5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | Zapytanie ofertowe |
|
SPP80N06S2-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | Zapytanie ofertowe |
|
SPP80N06S2-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | Zapytanie ofertowe |
|
SPP80N06S2-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | Zapytanie ofertowe |
|
SPP80N06S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | Zapytanie ofertowe |
|
SPP80N06S2L-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | Zapytanie ofertowe |
|
SPP80N06S2L-11 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | Zapytanie ofertowe |
|
SPP80N06S2L-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | Zapytanie ofertowe |
|
SPP80N06S08AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog