Kupować SPP07N60S5 z BYCHPS
Kup z gwarancją
SPP07N60S5
- Part Number:
- SPP07N60S5
- Opis:
- MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 19305 Pieces
- Arkusz danych:
- SPP07N60S5.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla SPP07N60S5, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla SPP07N60S5 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 350µA |
|---|---|
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-TO220-3-1 |
| Seria: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Strata mocy (max): | 83W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Inne nazwy: | SPP07N60S5BKSA1 SPP07N60S5IN SPP07N60S5X SPP07N60S5XTIN SPP07N60S5XTIN-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | SPP07N60S5 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 970pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 650V |
| Opis: | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SPP07N60S5
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB | Zapytanie ofertowe |
 |
SPP07N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Zapytanie ofertowe |
|
SPP07N60CFDHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220 | Zapytanie ofertowe |
|
SPP07N60C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220AB | Zapytanie ofertowe |
|
SPP07N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Zapytanie ofertowe |
|
SPP07N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | Zapytanie ofertowe |
 |
STGD1100LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.3A SC74 | Zapytanie ofertowe |
|
SPP07N65C3HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog