Kupować SPI20N60CFDHKSA1 z BYCHPS
Kup z gwarancją
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-TO262-3-1 |
| Seria: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 220 mOhm @ 13.1A, 10V |
| Strata mocy (max): | 208W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Inne nazwy: | SP000229995 SP000681008 SPI20N60CFD SPI20N60CFD-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | SPI20N60CFDHKSA1 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 2400pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 124nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 650V |
| Opis: | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 20.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |