Kupować SIDC09D60E6 UNSAWN z BYCHPS
Kup z gwarancją
SIDC09D60E6 UNSAWN
- Part Number:
- SIDC09D60E6 UNSAWN
- Opis:
- DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Dostępna Ilość:
- 13072 Pieces
- Arkusz danych:
- SIDC09D60E6 UNSAWN.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla SIDC09D60E6 UNSAWN, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla SIDC09D60E6 UNSAWN e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.7V @ 20A |
|---|---|
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 600V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Sawn on foil |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 150ns |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Die |
| Inne nazwy: | SIDC09D60E6UNSAWN SP000012547 |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | SIDC09D60E6 UNSAWN |
| Rozszerzony opis: | Diode Standard 600V 20A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
| Typ diody: | Standard |
| Opis: | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 27µA @ 600V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 20A (DC) |
| Pojemność @ VR F: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SIDC09D60E6 UNSAWN
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
SIDC03D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER | Zapytanie ofertowe |
|
SIDC09D60E6Y | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Zapytanie ofertowe |
|
SIDC09D60E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Zapytanie ofertowe |
|
SIDC04D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER | Zapytanie ofertowe |
|
SIDC06D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | Zapytanie ofertowe |
|
SIDC01D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER | Zapytanie ofertowe |
|
SIDC09D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER | Zapytanie ofertowe |
|
SIDC03D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER | Zapytanie ofertowe |
|
SIDC08D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER | Zapytanie ofertowe |
|
SIDC03D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER | Zapytanie ofertowe |
|
SIDC03D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog