RQ3E075ATTB
Part Number:
RQ3E075ATTB
Producent:
LAPIS Semiconductor
Opis:
PCH -30V -18A MIDDLE POWER MOSFE
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
17253 Pieces
Arkusz danych:
RQ3E075ATTB.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla RQ3E075ATTB, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla RQ3E075ATTB e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować RQ3E075ATTB z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (maks.):±20V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:8-HSMT (3.2x3)
Seria:-
RDS (Max) @ ID, Vgs:23 Ohm @ 7.5A, 10V
Strata mocy (max):15W (Tc)
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:8-PowerVDFN
Inne nazwy:RQ3E075ATTBTR
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta:10 Weeks
Numer części producenta:RQ3E075ATTB
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:930pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:21nC @ 10V
Rodzaj FET:P-Channel
Cecha FET:-
Rozszerzony opis:P-Channel 30V 18A (Tc) 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):10V
Spust do źródła napięcia (Vdss):30V
Opis:PCH -30V -18A MIDDLE POWER MOSFE
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze