RGTH60TS65DGC11
RGTH60TS65DGC11
Part Number:
RGTH60TS65DGC11
Producent:
LAPIS Semiconductor
Opis:
IGBT 650V 58A 194W TO-247N
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
12413 Pieces
Arkusz danych:
RGTH60TS65DGC11.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla RGTH60TS65DGC11, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla RGTH60TS65DGC11 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować RGTH60TS65DGC11 z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

Napięcie - kolektor emiter (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, IC:2.1V @ 15V, 30A
Stan testu:400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C:27ns/105ns
Przełączanie Energy:-
Dostawca urządzeń Pakiet:TO-247N
Seria:-
Odwrócona Recovery Time (TRR):58ns
Moc - Max:194W
Opakowania:Tube
Package / Case:TO-247-3
temperatura robocza:-40°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta:15 Weeks
Numer części producenta:RGTH60TS65DGC11
Typ wejścia:Standard
Rodzaj IGBT:Trench Field Stop
brama Charge:58nC
Rozszerzony opis:IGBT Trench Field Stop 650V 58A 194W Through Hole TO-247N
Opis:IGBT 650V 58A 194W TO-247N
Obecny - Collector impulsowe (ICM):120A
Obecny - Collector (Ic) (maks):58A
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze