Kupować RFD4N06LSM9A z BYCHPS
Kup z gwarancją
VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-252AA |
Seria: | - |
RDS (Max) @ ID, Vgs: | 600 mOhm @ 1A, 5V |
Strata mocy (max): | 30W (Tc) |
Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
Package / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
Numer części producenta: | RFD4N06LSM9A |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | - |
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 8nC @ 10V |
Rodzaj FET: | N-Channel |
Cecha FET: | - |
Rozszerzony opis: | N-Channel 60V 4A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
Spust do źródła napięcia (Vdss): | 60V |
Opis: | MOSFET N-CH 60V 4A DPAK |
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
Email: | [email protected] |