Kupować QS8K13TCR z BYCHPS
Kup z gwarancją
QS8K13TCR
- Part Number:
- QS8K13TCR
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 18378 Pieces
- Arkusz danych:
- QS8K13TCR.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla QS8K13TCR, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla QS8K13TCR e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TSMT8 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 28 mOhm @ 6A, 10V |
| Moc - Max: | 550mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SMD, Flat Lead |
| Inne nazwy: | QS8K13TCRTR |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Numer części producenta: | QS8K13TCR |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 390pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Cecha FET: | Standard |
| Rozszerzony opis: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 550mW Surface Mount TSMT8 |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 30V |
| Opis: | MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 6A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do QS8K13TCR
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
SI6954ADQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP | Zapytanie ofertowe |
 |
QS8K11TCR | Rohm Semiconductor | 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET | Zapytanie ofertowe |
 |
BSO211PNTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC | Zapytanie ofertowe |
 |
ALD212914PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP | Zapytanie ofertowe |
 |
IPG20N06S2L65AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | Zapytanie ofertowe |
 |
FDMD8560L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER | Zapytanie ofertowe |
 |
APTC90DSK12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | Zapytanie ofertowe |
|
APTML1002U60R020T3AG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3 | Zapytanie ofertowe |
 |
SH8K32TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8 | Zapytanie ofertowe |
|
SI4818DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC | Zapytanie ofertowe |
|
IRF7905TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog