Kupować PTF210451F V1 z BYCHPS
Kup z gwarancją
PTF210451F V1
- Part Number:
- PTF210451F V1
- Opis:
- IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 15246 Pieces
- Arkusz danych:
- PTF210451F V1.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla PTF210451F V1, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla PTF210451F V1 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - Test: | 28V |
|---|---|
| Napięcie - znamionowe: | 65V |
| Typ tranzystora: | LDMOS |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | H-31265-2 |
| Seria: | GOLDMOS® |
| Moc - Wyjście: | 45W |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
| Inne nazwy: | SP000407202 |
| noise Figure: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Numer części producenta: | PTF210451F V1 |
| Zdobyć: | 14dB |
| Częstotliwość: | 2.17GHz |
| Rozszerzony opis: | RF Mosfet LDMOS 28V 500mA 2.17GHz 14dB 45W H-31265-2 |
| Opis: | IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 |
| Aktualna ocena: | 1µA |
| Obecny - Test: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PTF210451F V1
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
PD85006-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ PWRSO-10RF | Zapytanie ofertowe |
 |
BLF8G10LS-270,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B | Zapytanie ofertowe |
 |
MRF6S19140HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 1.99GHZ NI-880 | Zapytanie ofertowe |
 |
PTF210451E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 | Zapytanie ofertowe |
 |
PTF210101M V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 | Zapytanie ofertowe |
 |
PTRA093302FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC RF FET LDMOS 330W H-37248-4 | Zapytanie ofertowe |
 |
BLF7G20LS-250P,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B | Zapytanie ofertowe |
 |
MRF9210R3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 880MHZ 860C3 | Zapytanie ofertowe |
|
MMRF1015GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 960MHZ | Zapytanie ofertowe |
 |
NE34018-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | Zapytanie ofertowe |
 |
ARF461AG | Microsemi Corporation | RF MOSFET N-CH 1000V TO247 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog