Kupować PESD5V0L1USF-H250, z BYCHPS
Kup z gwarancją
PESD5V0L1USF-H250,
- Part Number:
- PESD5V0L1USF-H250,
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- TVS DIODE 5VWM 10.5VC SOD962
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 13784 Pieces
- Arkusz danych:
- PESD5V0L1USF-H250,.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla PESD5V0L1USF-H250,, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla PESD5V0L1USF-H250, e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - Reverse patowa (typ): | 5V (Max) |
|---|---|
| Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp: | 10.5V |
| Napięcie - podziały (min): | 6V |
| Kanały jednokierunkowe: | 1 |
| Rodzaj: | Zener |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 2-DSN (0.60x0.30) |
| Seria: | - |
| Ochrona linii zasilających: | No |
| Moc - Peak Pulse: | 11W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 2-XFDFN |
| Inne nazwy: | 934066034315 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | PESD5V0L1USF-H250, |
| Opis: | TVS DIODE 5VWM 10.5VC SOD962 |
| Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs): | 1.2A (8/20µs) |
| Pojemność @ Częstotliwość: | 12pF @ 1MHz |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do PESD5V0L1USF-H250,
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
PESD5V0F5UF,115 | Nexperia USA Inc. | TVS DIODE 5.5VWM 15VC 6XSON | Zapytanie ofertowe |
|
PESD5V0V4UF,115 | NXP USA Inc. | TVS DIODE 5VWM 13VC 6XSON | Zapytanie ofertowe |
|
PESD5V0L6US,118 | NXP USA Inc. | TVS DIODE 5VWM 15VC 8SOIC | Zapytanie ofertowe |
 |
PESD5V0L5UK,132 | NXP USA Inc. | TVS DIODE 5VWM 9.9VC SOT891 | Zapytanie ofertowe |
|
PESD5V0U1UCLD,315 | NXP USA Inc. | TVS DIODE SOD882 | Zapytanie ofertowe |
 |
PESD5V0V4UG,115 | NXP USA Inc. | TVS DIODE 5VWM 13VC SOT353 | Zapytanie ofertowe |
|
PESD5V0L7BAS,118 | NXP USA Inc. | TVS DIODE 5VWM 17VC SOT5051 | Zapytanie ofertowe |
 |
PESD5V0F5UV,115 | Nexperia USA Inc. | TVS DIODE 5.5VWM 15VC SOT666 | Zapytanie ofertowe |
|
PESD5V0V4UK,132 | NXP USA Inc. | TVS DIODE 5VWM 10VC SOT891 | Zapytanie ofertowe |
 |
PESD5V0L6UAS,118 | NXP USA Inc. | TVS DIODE 5VWM 15VC 8TSSOP | Zapytanie ofertowe |
|
PESD5V0L7BS,118 | NXP USA Inc. | TVS DIODE 5VWM 17VC 8SOIC | Zapytanie ofertowe |
|
PESD5V0U1UCL,315 | NXP USA Inc. | TVS DIODE SOD882 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog