Kupować NTJS4405NT4 z BYCHPS
Kup z gwarancją
NTJS4405NT4
- Part Number:
- NTJS4405NT4
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Dostępna Ilość:
- 15258 Pieces
- Arkusz danych:
- NTJS4405NT4.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla NTJS4405NT4, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla NTJS4405NT4 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 350 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Strata mocy (max): | 630mW (Ta) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | NTJS4405NT4 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 60pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 1.5nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 25V 1A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 25V |
| Opis: | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NTJS4405NT4
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLIZ24G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP | Zapytanie ofertowe |
 |
NTJS4405NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | Zapytanie ofertowe |
|
NTJS4405NT1 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | Zapytanie ofertowe |
 |
PHT4NQ10T,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223 | Zapytanie ofertowe |
|
NTJS4405NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 | Zapytanie ofertowe |
|
NTJS4151PT1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363 | Zapytanie ofertowe |
|
NTJS4151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88 | Zapytanie ofertowe |
 |
APTM50DAM38CTG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 90A SP4 | Zapytanie ofertowe |
 |
DMN30H4D0LFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN | Zapytanie ofertowe |
|
NTJS4160NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6 | Zapytanie ofertowe |
 |
SI7119DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog