Kupować NSVBAS21SLT1G z BYCHPS
Kup z gwarancją
NSVBAS21SLT1G
- Part Number:
- NSVBAS21SLT1G
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT23
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 14964 Pieces
- Arkusz danych:
- NSVBAS21SLT1G.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla NSVBAS21SLT1G, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla NSVBAS21SLT1G e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.25V @ 200mA |
|---|---|
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 250V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 50ns |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Numer części producenta: | NSVBAS21SLT1G |
| Rozszerzony opis: | Diode Standard 250V 225mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Typ diody: | Standard |
| Opis: | DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT23 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 100µA @ 200V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 225mA (DC) |
| Pojemność @ VR F: | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NSVBAS21SLT1G
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
NSVBAS20LT3G | ON Semiconductor | DIODE GP 200V 200MA SOT23-3 | Zapytanie ofertowe |
 |
NSVBAS21TMR6T2G | ON Semiconductor | DIODE SWITCHING 250V SC-74 | Zapytanie ofertowe |
 |
NSVBAS21AHT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 | Zapytanie ofertowe |
 |
NSVBAS21M3T5G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT723 | Zapytanie ofertowe |
|
NSVBAS21HT1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 | Zapytanie ofertowe |
|
NSVBAS21TMR6T1G | ON Semiconductor | DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC74 | Zapytanie ofertowe |
|
NSVBAS21HT3G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 | Zapytanie ofertowe |
|
NSVBAS70LT1G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3 | Zapytanie ofertowe |
 |
NSVBAS16WT3G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog