Kupować NE3503M04-T2B-A z BYCHPS
Kup z gwarancją
NE3503M04-T2B-A
- Part Number:
- NE3503M04-T2B-A
- Producent:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Opis:
- FET RF 4V 12GHZ M04
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 17951 Pieces
- Arkusz danych:
- NE3503M04-T2B-A.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla NE3503M04-T2B-A, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla NE3503M04-T2B-A e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - Test: | 2V |
|---|---|
| Napięcie - znamionowe: | 4V |
| Typ tranzystora: | HFET |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | M04 |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 4-SMD, Flat Leads |
| noise Figure: | 0.45dB |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | NE3503M04-T2B-A |
| Zdobyć: | 12dB |
| Częstotliwość: | 12GHz |
| Rozszerzony opis: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 12dB M04 |
| Opis: | FET RF 4V 12GHZ M04 |
| Aktualna ocena: | 70mA |
| Obecny - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do NE3503M04-T2B-A
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF6G38-10,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975B | Zapytanie ofertowe |
 |
PTFA212401E V4 R250 | Infineon Technologies | FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 | Zapytanie ofertowe |
 |
NE3503M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | Zapytanie ofertowe |
 |
ATF-52189-TR2 | Broadcom Limited | FET RF 7V 2GHZ SOT-89 | Zapytanie ofertowe |
|
NE3503M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 | Zapytanie ofertowe |
 |
PD85035S-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 870MHZ | Zapytanie ofertowe |
|
NE3509M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ SOT-343 | Zapytanie ofertowe |
 |
NE350184C | CEL | FET RF 4V 20GHZ MICRO-X | Zapytanie ofertowe |
|
NE3508M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | Zapytanie ofertowe |
|
NE3509M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI | Zapytanie ofertowe |
 |
BLC8G27LS-210PVY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513 | Zapytanie ofertowe |
 |
BF1208D,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH DUAL GATE SOD666 | Zapytanie ofertowe |
|
NE3508M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM | Zapytanie ofertowe |
 |
BLC8G27LS-160AVJ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog