MURT10020R
MURT10020R
Part Number:
MURT10020R
Producent:
GeneSiC Semiconductor
Opis:
DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
16087 Pieces
Arkusz danych:
1.MURT10020R.pdf2.MURT10020R.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla MURT10020R, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla MURT10020R e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować MURT10020R z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli:1.3V @ 50A
Napięcie - DC Rewers (VR) (maks):200V
Dostawca urządzeń Pakiet:Three Tower
Prędkość:Fast Recovery = 200mA (Io)
Seria:-
Odwrócona Recovery Time (TRR):75ns
Opakowania:Bulk
Package / Case:Three Tower
Inne nazwy:MURT10020RGN
Temperatura pracy - złącze:-40°C ~ 175°C
Rodzaj mocowania:Chassis Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta:4 Weeks
Numer części producenta:MURT10020R
Rozszerzony opis:Diode Array Standard, Reverse Polarity 200V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
Typ diody:Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration:-
Opis:DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Obecny - Reverse Przeciek @ Vr:25µA @ 50V
Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode):100A (DC)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze