Kupować MUR2X100A10 z BYCHPS
Kup z gwarancją
MUR2X100A10
- Part Number:
- MUR2X100A10
- Producent:
- GeneSiC Semiconductor
- Opis:
- DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 14747 Pieces
- Arkusz danych:
- MUR2X100A10.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla MUR2X100A10, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla MUR2X100A10 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 2.35V @ 100A |
|---|---|
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 1000V (1kV) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-227 |
| Prędkość: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 4 Weeks |
| Numer części producenta: | MUR2X100A10 |
| Rozszerzony opis: | Diode Array 2 Independent Standard 1000V (1kV) 100A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC |
| Typ diody: | Standard |
| Diode Configuration: | 2 Independent |
| Opis: | DIODE GEN PURP 1KV 100A SOT227 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 25µA @ 1000V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 100A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MUR2X100A10
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
MUR2X100A12 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV 100A SOT227 | Zapytanie ofertowe |
|
MUR2X120A10 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1KV 120A SOT227 | Zapytanie ofertowe |
|
MUR2X100A02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 200A SOT227 | Zapytanie ofertowe |
|
MUR2X100A04 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 200A SOT227 | Zapytanie ofertowe |
|
MUR2X120A06 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227 | Zapytanie ofertowe |
|
MUR2X100A06 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 100A SOT227 | Zapytanie ofertowe |
|
MUR2X120A04 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227 | Zapytanie ofertowe |
|
MUR2X030A06 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 60A SOT227 | Zapytanie ofertowe |
|
MUR2X120A02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227 | Zapytanie ofertowe |
|
MUR2X120A12 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV 120A SOT227 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog