Kupować MSRTA20060(A)D z BYCHPS
Kup z gwarancją
MSRTA20060(A)D
- Part Number:
- MSRTA20060(A)D
- Producent:
- GeneSiC Semiconductor
- Opis:
- DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 17622 Pieces
- Arkusz danych:
- MSRTA20060(A)D.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla MSRTA20060(A)D, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla MSRTA20060(A)D e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.1V @ 200A |
|---|---|
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 600V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Three Tower |
| Prędkość: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Three Tower |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Numer części producenta: | MSRTA20060(A)D |
| Rozszerzony opis: | Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 600V 200A Chassis Mount Three Tower |
| Typ diody: | Standard |
| Diode Configuration: | 1 Pair Series Connection |
| Opis: | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 10µA @ 600V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 200A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MSRTA20060(A)D
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
MSRTA200140(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER | Zapytanie ofertowe |
|
MSRTA20080(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER | Zapytanie ofertowe |
|
MSRTA200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | Zapytanie ofertowe |
|
MSRTA30060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 300A 3 TOWER | Zapytanie ofertowe |
|
MSRTA200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | Zapytanie ofertowe |
|
MSRTA300160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER | Zapytanie ofertowe |
|
MSRTA600100(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER | Zapytanie ofertowe |
|
MSRTA200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER | Zapytanie ofertowe |
|
MSRTA600140(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER | Zapytanie ofertowe |
|
MSRTA6001R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog