Kupować MSRT20060(A) z BYCHPS
Kup z gwarancją
MSRT20060(A)
- Part Number:
- MSRT20060(A)
- Producent:
- GeneSiC Semiconductor
- Opis:
- DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 18570 Pieces
- Arkusz danych:
- 1.MSRT20060(A).pdf2.MSRT20060(A).pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla MSRT20060(A), mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla MSRT20060(A) e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.2V @ 200A |
|---|---|
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 600V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Three Tower |
| Prędkość: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Three Tower |
| Inne nazwy: | MSRT20060(A)GN MSRT20060A |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Numer części producenta: | MSRT20060(A) |
| Rozszerzony opis: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| Typ diody: | Standard |
| Diode Configuration: | 1 Pair Common Cathode |
| Opis: | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 10µA @ 600V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 200A (DC) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do MSRT20060(A)
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
MSRT200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER | Zapytanie ofertowe |
|
MSRT200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER | Zapytanie ofertowe |
|
MSRT20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER | Zapytanie ofertowe |
|
MSRT200120(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER | Zapytanie ofertowe |
|
MSRT200140(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER | Zapytanie ofertowe |
|
MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER | Zapytanie ofertowe |
|
MSRT200100(A) | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER | Zapytanie ofertowe |
|
MSRT20080(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER | Zapytanie ofertowe |
|
MSRT200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog