Kupować IXZ210N50L2 z BYCHPS
Kup z gwarancją
IXZ210N50L2
- Part Number:
- IXZ210N50L2
- Producent:
- IXYS Corporation
- Opis:
- RF MOSFET N-CHANNEL DE275
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 18131 Pieces
- Arkusz danych:
- IXZ210N50L2.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IXZ210N50L2, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IXZ210N50L2 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - Test: | - |
|---|---|
| Napięcie - znamionowe: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-Channel |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Seria: | Z-MOS™ |
| Moc - Wyjście: | 390W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| noise Figure: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Numer części producenta: | IXZ210N50L2 |
| Zdobyć: | - |
| Częstotliwość: | 2MHz ~ 110MHz |
| Rozszerzony opis: | RF Mosfet N-Channel 2MHz ~ 110MHz 390W |
| Opis: | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 |
| Aktualna ocena: | 1mA |
| Obecny - Test: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IXZ210N50L2
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF8G27LS-100V,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B | Zapytanie ofertowe |
 |
IXZ210N50L | IXYS | N-CHANNEL RF MOSFET 175MH | Zapytanie ofertowe |
 |
2N5245 | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 15MA TO92 | Zapytanie ofertowe |
 |
MRFG35010ANT1 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5 | Zapytanie ofertowe |
 |
PD57045S-E | STMicroelectronics | FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10 | Zapytanie ofertowe |
 |
MRFG35003M6T1 | NXP USA Inc. | FET RF 8V 3.55GHZ 1.5-PLD | Zapytanie ofertowe |
 |
PD57018-E | STMicroelectronics | FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 | Zapytanie ofertowe |
 |
PTFB192557SHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2 | Zapytanie ofertowe |
 |
AFV141KGSR5 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Zapytanie ofertowe |
 |
BLF6G10LS-200R,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V SOT502B | Zapytanie ofertowe |
|
AFT18S230SR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.88GHZ NI780S-6 | Zapytanie ofertowe |
 |
BLF6G15LS-250PBRN, | Ampleon USA Inc. | RF FET 65V 18.5DB SOT1110B | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog