Kupować IXFN240N15T2 z BYCHPS
Kup z gwarancją
IXFN240N15T2
- Part Number:
- IXFN240N15T2
- Producent:
- IXYS Corporation
- Opis:
- MOSFET N-CH 150V 240A SOT227
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 17882 Pieces
- Arkusz danych:
- IXFN240N15T2.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IXFN240N15T2, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IXFN240N15T2 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-227B |
| Seria: | GigaMOS™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 5.2 mOhm @ 60A, 10V |
| Strata mocy (max): | 830W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Numer części producenta: | IXFN240N15T2 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 32000pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 460nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 150V 240A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 150V |
| Opis: | MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 240A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IXFN240N15T2
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN27N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B | Zapytanie ofertowe |
|
IXFN24N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B | Zapytanie ofertowe |
|
IXFN260N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227 | Zapytanie ofertowe |
|
IXFN24N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A SOT227B | Zapytanie ofertowe |
|
IXFN210N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B | Zapytanie ofertowe |
|
IXFN230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227 | Zapytanie ofertowe |
|
IXFN27N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B | Zapytanie ofertowe |
|
IXFN210N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227 | Zapytanie ofertowe |
|
IXFN24N90Q | IXYS | MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B | Zapytanie ofertowe |
|
IXFN21N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B | Zapytanie ofertowe |
|
IXFN230N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B | Zapytanie ofertowe |
|
IXFN20N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | Zapytanie ofertowe |
|
IXFN280N07 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B | Zapytanie ofertowe |
|
IXFN26N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B | Zapytanie ofertowe |
|
IXFN280N085 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B | Zapytanie ofertowe |
|
IXFN20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B | Zapytanie ofertowe |
|
IXFN26N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog