Kupować IRLS4030TRLPBF z BYCHPS
Kup z gwarancją
IRLS4030TRLPBF
- Part Number:
- IRLS4030TRLPBF
- Opis:
- MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 18957 Pieces
- Arkusz danych:
- IRLS4030TRLPBF.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IRLS4030TRLPBF, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IRLS4030TRLPBF e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (maks.): | ±16V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | D2PAK |
| Seria: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 4.3 mOhm @ 110A, 10V |
| Strata mocy (max): | 370W (Tc) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Inne nazwy: | IRLS4030TRLPBFTR SP001552944 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Numer części producenta: | IRLS4030TRLPBF |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 11360pF @ 50V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 130nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 100V 180A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 100V |
| Opis: | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IRLS4030TRLPBF
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | Zapytanie ofertowe |
 |
PSMN8R5-108ESQ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK | Zapytanie ofertowe |
 |
IRLS4030PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
IRLS4030-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | Zapytanie ofertowe |
 |
IXFX32N80Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247 | Zapytanie ofertowe |
 |
STF3HNK90Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP | Zapytanie ofertowe |
 |
IRFU1010ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK | Zapytanie ofertowe |
 |
IXTA130N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263 | Zapytanie ofertowe |
 |
FDB5645 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB | Zapytanie ofertowe |
|
IXTA200N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 200A TO-263 | Zapytanie ofertowe |
 |
BUK9GTHP-55PJTR,51 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 28SOIC | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog