Kupować IRL3502STRLPBF z BYCHPS
Kup z gwarancją
IRL3502STRLPBF
- Part Number:
- IRL3502STRLPBF
- Opis:
- MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 15993 Pieces
- Arkusz danych:
- IRL3502STRLPBF.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IRL3502STRLPBF, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IRL3502STRLPBF e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 700mV @ 250µA |
|---|---|
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | D2PAK |
| Seria: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 7 mOhm @ 64A, 7V |
| Strata mocy (max): | 140W (Tc) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | IRL3502STRLPBF |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 4700pF @ 15V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 110nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 20V 110A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| Opis: | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 110A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IRL3502STRLPBF
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL3502SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
 |
IRL3502 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB | Zapytanie ofertowe |
|
IRL3502PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB | Zapytanie ofertowe |
|
IRL3502STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
IRL3502STRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
IRL3502S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
 |
PSMN013-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB | Zapytanie ofertowe |
 |
BUK663R5-30C,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog