Kupować IRF9Z24NSTRR z BYCHPS
Kup z gwarancją
IRF9Z24NSTRR
- Part Number:
- IRF9Z24NSTRR
- Opis:
- MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Dostępna Ilość:
- 19540 Pieces
- Arkusz danych:
- IRF9Z24NSTRR.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IRF9Z24NSTRR, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IRF9Z24NSTRR e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | D2PAK |
| Seria: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 175 mOhm @ 7.2A, 10V |
| Strata mocy (max): | 3.8W (Ta), 45W (Tc) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | IRF9Z24NSTRR |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 350pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | P-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | P-Channel 55V 12A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 55V |
| Opis: | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IRF9Z24NSTRR
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF9Z24NSTRL | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
IRF9Z34NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
IRF9Z24NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
IRF9Z24NS | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
 |
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB | Zapytanie ofertowe |
 |
IRF9Z24NL | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 | Zapytanie ofertowe |
|
IRF9Z24NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
IRF9Z34NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
|
IRF9Z24NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 | Zapytanie ofertowe |
|
IRF9Z34NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog