Kupować IRF7842TR z BYCHPS
Kup z gwarancją
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.25V @ 250µA |
|---|---|
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SO |
| Seria: | HEXFET® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 5 mOhm @ 17A, 10V |
| Strata mocy (max): | 2.5W (Ta) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | IRF7842TR |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 4500pF @ 20V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 50nC @ 4.5V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 40V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 40V |
| Opis: | MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 18A (Ta) |
| Email: | [email protected] |