IRF630FP
IRF630FP
Part Number:
IRF630FP
Producent:
ST
Opis:
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
19880 Pieces
Arkusz danych:
IRF630FP.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IRF630FP, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IRF630FP e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować IRF630FP z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:TO-220FP
Seria:MESH OVERLAY™ II
RDS (Max) @ ID, Vgs:400 mOhm @ 4.5A, 10V
Strata mocy (max):30W (Tc)
Opakowania:Tube
Package / Case:TO-220-3 Full Pack
Inne nazwy:497-12489-5
IRF630FP-ND
temperatura robocza:-65°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Numer części producenta:IRF630FP
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:700pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:45nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Rozszerzony opis:N-Channel 200V 9A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Spust do źródła napięcia (Vdss):200V
Opis:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze