polski
English
Deutsch
Français
русский
español
Português
日本語
Italia
한국의
العربية
Türk dili
polski
Suomi
Indonesia
Tiếng Việt
ภาษาไทย
Nederland
Pilipino
Čeština
繁体中文
Magyarország
Kongeriket
Dansk
Svenska
✕
O nas
|
Skontaktuj się z nami
|
Poprosić o wycenę
|
Dom
Informacje o Bychips
Produkty
Producenci
Prośba o ofertę
Aktualności Press
Skontaktuj się z Bychips
Dom
>
Produkty
>
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
>
Diody prostownicze - pojedyncze
>
IRD3CH31DB6
IRD3CH31DB6
Part Number:
IRD3CH31DB6
Producent:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Opis:
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
14336 Pieces
Arkusz danych:
IRD3CH31DB6.pdf
Zapytanie ofertowe
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla
IRD3CH31DB6, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla
IRD3CH31DB6 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować
IRD3CH31DB6 z BYCHPS
Kup z gwarancją
Specyfikacje
Seria:
*
Inne nazwy:
SP001539694
Poziom czułości na wilgoć (MSL):
1 (Unlimited)
Numer części producenta:
IRD3CH31DB6
Rozszerzony opis:
Diode
Opis:
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Email:
[email protected]
Szybkie zapytanie ofertowe
Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze
Podobne zamienne do
IRD3CH31DB6
Obraz
Part Number
Producenci
Opis
Widok
IRD3CH31DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Zapytanie ofertowe
IRD3CH11DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Zapytanie ofertowe
IRD3CH24DB6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Zapytanie ofertowe
IRD3CH16DD6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Zapytanie ofertowe
IRD3CH31DD6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Zapytanie ofertowe
IRD3CH53DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Zapytanie ofertowe
IRD3CH11DD6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Zapytanie ofertowe
IRD3CH16DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Zapytanie ofertowe
IRD3CH9DB6
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE
Zapytanie ofertowe
IRD3CH5DB6
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE
Zapytanie ofertowe
IRD3CH53DB6
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE
Zapytanie ofertowe
IRD3CH42DB6
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 75A DIE
Zapytanie ofertowe
IRD3CH101DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Zapytanie ofertowe
IRD3CH24DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Zapytanie ofertowe
IRD3CH9DD6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Zapytanie ofertowe
IRD3CH101DD6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Zapytanie ofertowe
Latest Aktualności
Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
Janet Clark to join TI board of directors
TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
GCHQ Director calls for international cyber pact
Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
"Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog