Kupować IPZ60R099C7XKSA1 z BYCHPS
Kup z gwarancją
IPZ60R099C7XKSA1
- Part Number:
- IPZ60R099C7XKSA1
- Opis:
- MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 18785 Pieces
- Arkusz danych:
- IPZ60R099C7XKSA1.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IPZ60R099C7XKSA1, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IPZ60R099C7XKSA1 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 490µA |
|---|---|
| Vgs (maks.): | ±20V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-TO247-4 |
| Seria: | CoolMOS™ C7 |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 99 mOhm @ 9.7A, 10V |
| Strata mocy (max): | 110W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-247-4 |
| Inne nazwy: | SP001298006 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Numer części producenta: | IPZ60R099C7XKSA1 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 1819pF @ 400V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 600V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO247-4 |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 600V |
| Opis: | MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 22A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IPZ60R099C7XKSA1
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 | Zapytanie ofertowe |
|
IPZ60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 | Zapytanie ofertowe |
 |
IPZ60R099P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | Zapytanie ofertowe |
|
IPZ60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | Zapytanie ofertowe |
|
IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Zapytanie ofertowe |
 |
BSP296 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 | Zapytanie ofertowe |
 |
FDU068AN03L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK | Zapytanie ofertowe |
|
IPZ60R070P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | Zapytanie ofertowe |
|
IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 | Zapytanie ofertowe |
 |
TN5335K1-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IPZ60R125P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog