Kupować IPP60R099CPXKSA1 z BYCHPS
Kup z gwarancją
IPP60R099CPXKSA1
- Part Number:
- IPP60R099CPXKSA1
- Opis:
- MOSFET N-CH 650V 31A TO-220
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 15189 Pieces
- Arkusz danych:
- IPP60R099CPXKSA1.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IPP60R099CPXKSA1, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IPP60R099CPXKSA1 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 1.2mA |
|---|---|
| Vgs (maks.): | ±20V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-TO-220-3 |
| Seria: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 99 mOhm @ 18A, 10V |
| Strata mocy (max): | 255W (Tc) |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Inne nazwy: | IPP60R099CP IPP60R099CPIN IPP60R099CPIN-ND IPP60R099CPXK IPP60R099CSIN IPP60R099CSIN-ND IPP60R099CSX IPP60R099CSXTIN IPP60R099CSXTIN-ND SP000057021 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Numer części producenta: | IPP60R099CPXKSA1 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 2800pF @ 100V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 650V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 650V |
| Opis: | MOSFET N-CH 650V 31A TO-220 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 31A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IPP60R099CPXKSA1
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 | Zapytanie ofertowe |
|
IPP60R190P6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 | Zapytanie ofertowe |
|
IPP60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IPP60R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220 | Zapytanie ofertowe |
|
IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A TO-220 | Zapytanie ofertowe |
|
IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 | Zapytanie ofertowe |
 |
IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog