IPI80N06S3L06XK
IPI80N06S3L06XK
Part Number:
IPI80N06S3L06XK
Producent:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Opis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
19692 Pieces
Arkusz danych:
IPI80N06S3L06XK.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IPI80N06S3L06XK, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IPI80N06S3L06XK e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować IPI80N06S3L06XK z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 80µA
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:PG-TO262-3
Seria:OptiMOS™
RDS (Max) @ ID, Vgs:5.9 mOhm @ 56A, 10V
Strata mocy (max):136W (Tc)
Opakowania:Tube
Package / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Inne nazwy:IPI80N06S3L-06
IPI80N06S3L-06-ND
IPI80N06S3L-06IN
IPI80N06S3L-06IN-ND
IPI80N06S3L06X
SP000088002
temperatura robocza:-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Numer części producenta:IPI80N06S3L06XK
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:9417pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:196nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Rozszerzony opis:N-Channel 55V 80A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Spust do źródła napięcia (Vdss):55V
Opis:MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze