IPI320N20N3GAKSA1
IPI320N20N3GAKSA1
Part Number:
IPI320N20N3GAKSA1
Producent:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Opis:
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
13973 Pieces
Arkusz danych:
IPI320N20N3GAKSA1.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IPI320N20N3GAKSA1, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IPI320N20N3GAKSA1 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować IPI320N20N3GAKSA1 z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 90µA
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:PG-TO262-3
Seria:OptiMOS™
RDS (Max) @ ID, Vgs:32 mOhm @ 34A, 10V
Strata mocy (max):136W (Tc)
Opakowania:Tube
Package / Case:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Inne nazwy:IPI320N20N3 G
IPI320N20N3 G-ND
IPI320N20N3G
SP000714312
temperatura robocza:-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta:14 Weeks
Numer części producenta:IPI320N20N3GAKSA1
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:2350pF @ 100V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:29nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Rozszerzony opis:N-Channel 200V 34A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Spust do źródła napięcia (Vdss):200V
Opis:MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:34A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze