Kupować IPD60R380E6ATMA2 z BYCHPS
Kup z gwarancją
IPD60R380E6ATMA2
- Part Number:
- IPD60R380E6ATMA2
- Opis:
- MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Nie dotyczy / Nie dotyczy
- Dostępna Ilość:
- 14278 Pieces
- Arkusz danych:
- IPD60R380E6ATMA2.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IPD60R380E6ATMA2, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IPD60R380E6ATMA2 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 300µA |
|---|---|
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-TO252-3 |
| Seria: | CoolMOS™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 380 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Strata mocy (max): | 83W (Tc) |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Numer części producenta: | IPD60R380E6ATMA2 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 700pF @ 100V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | Super Junction |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 600V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 600V |
| Opis: | MOSFET NCH 600V 10.6A TO252 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 10.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IPD60R380E6ATMA2
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R380P6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3TO252 | Zapytanie ofertowe |
|
IPD60R385CPBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO-252 | Zapytanie ofertowe |
|
IPD60R380P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V DPAK-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IPD60R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252 | Zapytanie ofertowe |
|
IPD60R380E6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 600V 10.6A TO252 | Zapytanie ofertowe |
|
IPD60R380C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252 | Zapytanie ofertowe |
|
IPD60R3K3C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IPD60R385CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A TO-252 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog