Kupować IPC100N04S5L1R5ATMA1 z BYCHPS
Kup z gwarancją
IPC100N04S5L1R5ATMA1
- Part Number:
- IPC100N04S5L1R5ATMA1
- Opis:
- MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 18950 Pieces
- Arkusz danych:
- IPC100N04S5L1R5ATMA1.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IPC100N04S5L1R5ATMA1, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IPC100N04S5L1R5ATMA1 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 60µA |
|---|---|
| Vgs (maks.): | ±16V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-TDSON-8-34 |
| Seria: | OptiMOS™, Automotive, AEC-Q101 |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 2.1 mOhm @ 50A, 10V |
| Strata mocy (max): | 115W (Tc) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-PowerTDFN |
| Inne nazwy: | IPC100N04S5L1R5ATMA1TR SP001257556 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Numer części producenta: | IPC100N04S5L1R5ATMA1 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 5345pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 95nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 40V 100A 115W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34 |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 40V |
| Opis: | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 100A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IPC100N04S5L1R5ATMA1
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN | Zapytanie ofertowe |
|
IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | N-CHANNEL_30/40V | Zapytanie ofertowe |
|
IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | N-CHANNEL_30/40V | Zapytanie ofertowe |
|
IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN | Zapytanie ofertowe |
 |
IPC100N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON | Zapytanie ofertowe |
|
IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog