Kupować IPB80P04P4L04ATMA1 z BYCHPS
Kup z gwarancją
IPB80P04P4L04ATMA1
- Part Number:
- IPB80P04P4L04ATMA1
- Opis:
- MOSFET P-CH TO263-3
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 13117 Pieces
- Arkusz danych:
- IPB80P04P4L04ATMA1.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IPB80P04P4L04ATMA1, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IPB80P04P4L04ATMA1 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-TO263-3-2 |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 4.4 mOhm @ 80A, 10V |
| Strata mocy (max): | 125W (Tc) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Inne nazwy: | SP000840196 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Numer części producenta: | IPB80P04P4L04ATMA1 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 3800pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 176nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | P-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Rozszerzony opis: | P-Channel 40V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 40V |
| Opis: | MOSFET P-CH TO263-3 |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IPB80P04P4L04ATMA1
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB80P03P405ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IPB80N04S204ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IPB80P04P407ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IPB80P04P4L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IPB80P04P4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IPB80P04P405ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO263-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IPB80P03P4L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IPB80N04S3-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IPB80P03P4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IPB80N08S207ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog