Kupować IMD1AT108 z BYCHPS
Kup z gwarancją
IMD1AT108
- Part Number:
- IMD1AT108
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 16507 Pieces
- Arkusz danych:
- IMD1AT108.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IMD1AT108, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IMD1AT108 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Typ tranzystora: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SMT6 |
| Seria: | - |
| Opornik - Emiter bazowa (R2) (Ohm): | - |
| Opornik - Baza (R1) (Ohm): | 22k |
| Moc - Max: | 300mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-74, SOT-457 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | IMD1AT108 |
| Częstotliwość - Transition: | 250MHz |
| Rozszerzony opis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 |
| Opis: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 100 @ 1mA, 5V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | - |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IMD1AT108
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
RN4910(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 | Zapytanie ofertowe |
 |
NSBA124XDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | Zapytanie ofertowe |
 |
UMA6NTR | Rohm Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Zapytanie ofertowe |
 |
MUN5333DW1T1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog