IMD10AT108
IMD10AT108
Part Number:
IMD10AT108
Producent:
LAPIS Semiconductor
Opis:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
13566 Pieces
Arkusz danych:
IMD10AT108.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IMD10AT108, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IMD10AT108 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować IMD10AT108 z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

Napięcie - kolektor emiter (Max):50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC:300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Typ tranzystora:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Dostawca urządzeń Pakiet:SMT6
Seria:-
Opornik - Emiter bazowa (R2) (Ohm):10k
Opornik - Baza (R1) (Ohm):10k, 100
Moc - Max:300mW
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:SC-74, SOT-457
Inne nazwy:IMD10AT108TR
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Numer części producenta:IMD10AT108
Częstotliwość - Transition:250MHz, 200MHz
Rozszerzony opis:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6
Opis:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Obecny - Collector odcięcia (Max):500nA
Obecny - Collector (Ic) (maks):100mA, 500mA
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze