Kupować IKW30N65EL5XKSA1 z BYCHPS
Kup z gwarancją
IKW30N65EL5XKSA1
- Part Number:
- IKW30N65EL5XKSA1
- Opis:
- IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 16096 Pieces
- Arkusz danych:
- IKW30N65EL5XKSA1.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla IKW30N65EL5XKSA1, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla IKW30N65EL5XKSA1 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 650V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 1.35V @ 15V, 30A |
| Stan testu: | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 33ns/308ns |
| Przełączanie Energy: | 470µJ (on), 1.35mJ (off) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-TO247-3 |
| Seria: | TrenchStop™ 5 |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 100ns |
| Moc - Max: | 227W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Inne nazwy: | IKW30N65EL5XKSA1IN SP001178080 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Numer części producenta: | IKW30N65EL5XKSA1 |
| Typ wejścia: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | - |
| brama Charge: | 168nC |
| Rozszerzony opis: | IGBT 650V 85A 227W Through Hole PG-TO247-3 |
| Opis: | IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 |
| Obecny - Collector impulsowe (ICM): | 120A |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 85A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do IKW30N65EL5XKSA1
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 53A 200W TO247 | Zapytanie ofertowe |
|
IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 187W TO247-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A UFAST DIO TO247-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IKW30N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 187W TO247-3-21 | Zapytanie ofertowe |
|
IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A UFAST DIO TO247-3 | Zapytanie ofertowe |
|
IKW30N60T | Infineon Technologies | IGBT 600V 60A 187W TO247-3 | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog