Kupować HGTP3N60A4D z BYCHPS
Kup z gwarancją
HGTP3N60A4D
- Part Number:
- HGTP3N60A4D
- Producent:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Opis:
- IGBT 600V 17A 70W TO220AB
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 17111 Pieces
- Arkusz danych:
- 1.HGTP3N60A4D.pdf2.HGTP3N60A4D.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla HGTP3N60A4D, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla HGTP3N60A4D e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.7V @ 15V, 3A |
| Stan testu: | 390V, 3A, 50 Ohm, 15V |
| Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C: | 6ns/73ns |
| Przełączanie Energy: | 37µJ (on), 25µJ (off) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220AB |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 29ns |
| Moc - Max: | 70W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Inne nazwy: | HGTP3N60A4D_NL HGTP3N60A4D_NL-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | HGTP3N60A4D |
| Typ wejścia: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | - |
| brama Charge: | 21nC |
| Rozszerzony opis: | IGBT 600V 17A 70W Through Hole TO-220AB |
| Opis: | IGBT 600V 17A 70W TO220AB |
| Obecny - Collector impulsowe (ICM): | 40A |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 17A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do HGTP3N60A4D
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
HGTG30N60B3 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 60A 208W TO247 | Zapytanie ofertowe |
 |
NGD18N45CLBT4G | Littelfuse Inc. | IGBT 450V 18A DPAK | Zapytanie ofertowe |
 |
IKD04N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 8A 75W TO252-3 | Zapytanie ofertowe |
 |
IRGBC30F | Infineon Technologies | IGBT FAST 600V 31A TO-220AB | Zapytanie ofertowe |
 |
HGTP3N60A4 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 17A 70W TO220AB | Zapytanie ofertowe |
 |
IXGX75N250 | IXYS | IGBT 2500V 170A 780W PLUS247 | Zapytanie ofertowe |
 |
IRG4PC30FPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 31A 100W TO247AC | Zapytanie ofertowe |
 |
IKP20N60TAHKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 166W TO220-3-1 | Zapytanie ofertowe |
 |
RJH60F7BDPQ-A0#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 90A 328.9W TO-247A | Zapytanie ofertowe |
 |
IXGP24N60C4D1 | IXYS | IGBT 600V 56A 190W TO220 | Zapytanie ofertowe |
 |
FGPF30N30TDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 300V 44.6W TO220F | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog