Kupować GSID100A120S5C1 z BYCHPS
Kup z gwarancją
GSID100A120S5C1
- Part Number:
- GSID100A120S5C1
- Producent:
- Global Power Technologies Group
- Opis:
- IGBT MODULE 1200V 170A
- Stan ołowiu / status RoHS:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Dostępna Ilość:
- 16411 Pieces
- Arkusz danych:
- GSID100A120S5C1.pdf
Wprowadzenie
BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla GSID100A120S5C1, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla GSID100A120S5C1 e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Specyfikacje
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 2.1V @ 15V, 100A |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Module |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 650W |
| Package / Case: | Module |
| Inne nazwy: | 1560-1229 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Termistor NTC: | Yes |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 4 Weeks |
| Numer części producenta: | GSID100A120S5C1 |
| Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: | 13.7nF @ 25V |
| Wkład: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | - |
| Rozszerzony opis: | IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 170A 650W Chassis Mount Module |
| Opis: | IGBT MODULE 1200V 170A |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 1mA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 170A |
| Konfiguracja: | Three Phase Inverter |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do GSID100A120S5C1
| Obraz | Part Number | Producenci | Opis | Widok |
|---|---|---|---|---|
 |
VIO160-12P1 | IXYS | MOD IGBT DIODE SGL 1200V ECOPAC2 | Zapytanie ofertowe |
 |
IXSN50N60BD3 | IXYS | IGBT 75A 600V SOT-227B | Zapytanie ofertowe |
 |
VS-GT50TP60N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK | Zapytanie ofertowe |
 |
GSID150A120S5C1 | Global Power Technologies Group | IGBT MODULE 1200V 285A | Zapytanie ofertowe |
 |
APTGF30X60T3G | Microsemi Corporation | IGBT MODULE NPT 2PH BRIDGE SP3 | Zapytanie ofertowe |
|
VS-GB100TH120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK | Zapytanie ofertowe |
Latest Aktualności
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog