GP2M012A080NG
GP2M012A080NG
Part Number:
GP2M012A080NG
Producent:
Global Power Technologies Group
Opis:
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
14029 Pieces
Arkusz danych:
GP2M012A080NG.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla GP2M012A080NG, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla GP2M012A080NG e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować GP2M012A080NG z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:TO-3PN
Seria:-
RDS (Max) @ ID, Vgs:650 mOhm @ 6A, 10V
Strata mocy (max):416W (Tc)
Opakowania:Tube
Package / Case:TO-3P-3, SC-65-3
Inne nazwy:1560-1211-1
1560-1211-1-ND
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Numer części producenta:GP2M012A080NG
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:3370pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:79nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Rozszerzony opis:N-Channel 800V 12A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-3PN
Spust do źródła napięcia (Vdss):800V
Opis:MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze