GP1M009A050FSH
GP1M009A050FSH
Part Number:
GP1M009A050FSH
Producent:
Global Power Technologies Group
Opis:
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
18415 Pieces
Arkusz danych:
GP1M009A050FSH.pdf

Wprowadzenie

BYCHIPS jest dystrybutorem zaopatrzenia dla GP1M009A050FSH, mamy zapasów do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostaw. Prześlij nam swój plan zakupu dla GP1M009A050FSH e-mailem, otrzymasz najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kupować GP1M009A050FSH z BYCHPS
Kup z gwarancją

Specyfikacje

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:TO-220F
Seria:-
RDS (Max) @ ID, Vgs:850 mOhm @ 4.25A, 10V
Strata mocy (max):39W (Tc)
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:TO-220-3 Full Pack
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Numer części producenta:GP1M009A050FSH
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:1195pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:24nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Rozszerzony opis:N-Channel 500V 8.5A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F
Spust do źródła napięcia (Vdss):500V
Opis:MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:8.5A (Tc)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze